Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení

5631

Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení

Při dopadu velmi pomalých elektronů o energii pod 20 – 30 eV na povrch pevné látky je míra jejich odrazu nepřímo úměrná lokální hustotě elektronových stavů, navázaných na dopadající vlnu. Sledováním odrazu lze tedy studovat strukturu energiových pásů v místě dopadu. Tento jev, experimentálně ověřený v oblasti difrakce pomalých elektronů, bude zkoumán ve své mikroskopické verzi s vysokým rozlišením a využit při studiu struktur s místními rozdíly v elektronických vlastnostech. Řízení energie dopadu elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu a udržení vysokého rozlišení obrazu až do nejnižších energií umožní princip proměnné energie svazku s bržděním těsně nad povrchem v katodové čočce. Budou provedeny základní demonstrační experimenty a prokázána existence příslušného kontrastního mechanismu. Metoda pak bude aplikována na zobrazování hustoty rozložení dopantů v polovodiči při energii odpovídající příměsové hladině, kdy dochází ke snížení odrazu úměrně počtu příměsových atomů.
Řešitel v ÚPT: 
RNDr. Luděk Frank, DrSc.
Řešitel: 
Luděk Frank - Ústav přístrojové techniky AV ČR, v.v.i.
Agentura: 
GA ČR
Reg. č.: 
GA202/04/0281
Datum od: 
1. 1. 2004
Datum do: 
31. 12. 2006